[发明专利]金属导线、电极及薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种金属栅线和栅电极的制造方法，包括：提供一基板；在基板上形成一层光刻胶，其图案和栅线以及栅电极的形状互补；在基板和光刻胶上，溅射形成一层铜金属薄膜或包含铜金属的复合薄膜；在剥离液里浸泡基板，去除光刻胶及其上形成的一层铜金属薄膜或包含铜金属的复合薄膜，形成铜金属栅线和栅电极或包含铜金属的复合薄膜结构的栅线和栅电极。本发明同时也公开了一种金属数据线和源、漏电极的制造方法，以及用金属栅线和栅电极、或/和数据线和源、漏电极的制造方法形成薄膜晶体管阵列基板的制造方法。本发明提供的方法，不使用刻蚀液进行金属导线和电极的腐蚀，通过剥离工艺直接形成铜金属导线和电极，能降低开发成本。

主权项

1、一种金属栅线和栅电极的制造方法，其特征在于，包括：步骤1，提供一基板；步骤2，在所述基板上形成一层光刻胶，其图案与栅线以及栅电极的形状互补；步骤3，在完成步骤2的基板上，溅射形成一层铜金属薄膜或包含铜金属的复合薄膜；步骤4，将完成步骤3的基板在剥离液里浸泡，去除所述光刻胶及其上形成的一层铜金属薄膜或包含铜金属的复合薄膜，形成铜金属的栅线和栅电极或包含铜金属的复合薄膜结构的栅线和栅电极。