[发明专利]一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法有效
申请号: | 200710062847.2 | 申请日: | 2007-01-18 |
公开(公告)号: | CN101226383A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 张善贵 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | G05B19/048 | 分类号: | G05B19/048;G06F17/16;H01L21/00;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑立明;任红 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明所述的一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法,将待检测的数据样本代入设定的主元回归方程得出等离子刻蚀工艺过程的当前的工艺性能指标;再根据当前的等离子刻蚀工艺过程的工艺性能指标确定是否结束种等离子刻蚀工艺过程。能实现工艺进行中Wafer的刻蚀速率以及均匀性的在线监控。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子 刻蚀 工艺 预测 监控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法,其特征在于,包括:A、将待检测的数据样本代入设定的主元回归方程得出等离子刻蚀工艺过程的当前的工艺性能指标;B、根据当前的等离子刻蚀工艺过程的工艺性能指标预测工艺过程的进程,确定是否结束等离了刻蚀工艺过程。
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