[发明专利]ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710057597.3 申请日: 2007-06-12
公开(公告)号: CN101093863A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 施成营;孙云;何青;李凤岩;赵久成 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人: 廖晓荣
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法,利用该发明制备的金属衬底ZnO杂质阻挡层和电绝缘层,适宜于柔性光伏电池。本发明利用纯锌靶或者ZnO陶瓷靶等靶材,通过溅射法在金属衬底上沉积ZnO薄膜,通过调整Ar和O2流量比来获得理想的ZnO薄膜,薄膜结构致密,作为杂质阻挡层对于金属衬底内的杂质具有很好的阻挡效果,作为电绝缘层具有良好的绝缘效果,用于制备柔性金属衬底电池及组件。
搜索关键词: zno 绝缘 杂质 阻挡 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池,其包括轻质柔性衬底、ZnO电绝缘层和杂质阻挡层、背电极、吸收层、窗口层和前电极,其特征在于所述轻质柔性衬底是:金属材料衬底或聚合物材料衬底;衬底和背电极之间为0.8~4.0μm的ZnO电绝缘层与杂质阻挡层。
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