[发明专利]ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 200710057597.3 | 申请日: | 2007-06-12 |
公开(公告)号: | CN101093863A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 施成营;孙云;何青;李凤岩;赵久成 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 廖晓荣 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法,利用该发明制备的金属衬底ZnO杂质阻挡层和电绝缘层,适宜于柔性光伏电池。本发明利用纯锌靶或者ZnO陶瓷靶等靶材,通过溅射法在金属衬底上沉积ZnO薄膜,通过调整Ar和O2流量比来获得理想的ZnO薄膜,薄膜结构致密,作为杂质阻挡层对于金属衬底内的杂质具有很好的阻挡效果,作为电绝缘层具有良好的绝缘效果,用于制备柔性金属衬底电池及组件。 | ||
搜索关键词: | zno 绝缘 杂质 阻挡 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池,其包括轻质柔性衬底、ZnO电绝缘层和杂质阻挡层、背电极、吸收层、窗口层和前电极,其特征在于所述轻质柔性衬底是:金属材料衬底或聚合物材料衬底;衬底和背电极之间为0.8~4.0μm的ZnO电绝缘层与杂质阻挡层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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