[发明专利]一种简化结构的有机薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710049989.5 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101127387A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 张磊;于军胜;蒋亚东;杜晓松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种简化结构的有机薄膜晶体管，基板为刚性衬底或柔性衬底，其特征在于：在所述基板正面设置有呈平面排列的源电极、漏电极和栅电极，在呈平面结构的源电极、漏电极和栅电极上设置有有机栅绝缘膜，在所述有机栅绝缘膜的表面设置有有机半导体膜。本发明的有益效果如下：①有机薄膜晶体管的源电极、漏电极和栅电极采用平面结构排列，可通过一次光刻完成，简化了制作工艺；②避免了传统的有机薄膜晶体管需要在绝缘层上光刻源漏电极的过程，增加了器件的稳定性，尤其适合柔性基板的有机薄膜晶体管的制作；③器件制作的良品率有很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简化 结构 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种简化结构的有机薄膜晶体管，基板为刚性衬底或柔性衬底，其特征在于：在所述基板正面设置有呈平面排列的源电极、漏电极和栅电极，在呈平面结构的源电极、漏电极和栅电极上设置有有机栅绝缘膜，在所述有机栅绝缘膜的表面设置有有机半导体膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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