[发明专利]一种设计稳压二极管的方法无效
| 申请号： | 200710047056.2 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101414561A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王娜芝;承继;吴燕 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 214000江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种设计稳压二极管的方法，涉及双极集成电路设计领域。本发明包括如下步骤：步骤1：根据标准化的双极集成电路制造工艺，首先在版图上设计若干个N+区到隔离源区间距不同的图形对；步骤2：然后进行实验，根据不同的所述N+区到隔离源区间距所对应的稳压二极管稳压值作出曲线图；步骤3：参照步骤2所述的曲线图，根据不同的应用需要，调节N+区到隔离源区间距，以得到所需的稳压二极管稳压值。本发明扩大了稳压二极管的稳压值范围，控制方便快捷，节约了人力物力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设计 稳压二极管 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种设计稳压二极管的方法，其特征在于本发明包括如下步骤：步骤1：根据标准化的双极集成电路制造工艺，首先在版图上设计N型半导体重掺杂区到隔离源区间距不同的图形对；步骤2：然后进行实验，根据不同的所述N型半导体重掺杂区到隔离源区间距所对应的稳压二极管稳压值作出曲线图；步骤3：参照步骤2所述的曲线图，根据不同的应用需要，调节N型半导体重掺杂区到隔离源区间距，以得到所需的稳压二极管稳压值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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