[发明专利]防止存储器阵列产生位线干扰的方法有效
| 申请号： | 200710045043.1 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101373636A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 缪威权;陈良成;刘鉴常;蔡恩静;易晶晶;陈德艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防止存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态或低电位时，则对该其它存储单元加载一栅极偏置电压。采用本发明的方法可防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰，从而提高存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 存储器 阵列 产生 干扰 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，其特征在于:所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态或低电位时，则对该其它存储单元加载一栅极偏置电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710045043.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种独立落地式户外广告屏屏体
- 下一篇：热机械控轧控冷钢板平整控冷装置
