[发明专利]防止存储器阵列产生位线干扰的方法有效
| 申请号： | 200710045043.1 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101373636A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 缪威权;陈良成;刘鉴常;蔡恩静;易晶晶;陈德艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 存储器 阵列 产生 干扰 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，其特征在于：所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态或低电位时，则对该其它存储单元加载一栅极偏置电压，并且当该其它存储单元是已编过程的单元，则所述栅极偏置电压的范围是0.2～0.8V；当该其它存储单元是未经过编程的单元，则所述栅极偏置电压的范围是-1～-0.3V。
2.如权利要求1所述的防止存储器阵列产生位线干扰的方法，其特征在于：所述的存储器阵列是非挥发性存储器阵列。
3.如权利要求2所述的防止存储器阵列产生位线干扰的方法，其特征在于：所述的存储单元包括衬底，形成于衬底中的源极和漏极，以及形成于衬底上方的栅极，其中，栅极和衬底之间还具有三个相叠加的绝缘层，中间层用于捕陷电荷，两边的绝缘层用于锁住中间层的电荷。
4.如权利要求3所述的防止存储器阵列产生位线干扰的方法，其特征在于：所述的中间层具有两个可充电区域，分别用于存储一比特的数据。
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