[发明专利]一种气相晶体生长压力自动控制系统无效
申请号: | 200710043841.0 | 申请日: | 2007-07-16 |
公开(公告)号: | CN101117727A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 陈之战;施尔畏;肖兵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;C30B25/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种气相晶体生长压力自动控制系统,属于压力控制设备与系统领域。本发明包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7。进气气源2由质量流量计3控制,通过管道与真空室1相连,真空泵4通过管道一路和真空室直接相连,一路通过自动针阀调节器6和真空室相连。绝对压力传感器7与真空室1相连,压力控制仪表5按设定程序并根据绝对压力传感器7的反馈信号自动控制真空泵和自动针阀调节器6的工作。本发明线性度高,压力控制灵敏度高,波动小,可进行自动控制,特别适合小流量情况下的压力自动控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 压力 自动控制系统 | ||
【主权项】:
1.一种气相晶体生长压力控制系统,包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7,其特征在于:进气气源2由质量流量计3控制,通过管道与真空室1相连,真空泵4通过管道一路和真空室直接相连,一路通过自动针阀调节器6和真空室相连;绝对压力传感器7与真空室1相连,压力控制仪表5按设定程序并根据绝对压力传感器7的反馈信号自动控制真空泵和自动针阀调节器6的工作。
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