[发明专利]一种气相晶体生长压力自动控制系统无效

专利信息
申请号: 200710043841.0 申请日: 2007-07-16
公开(公告)号: CN101117727A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 陈之战;施尔畏;肖兵 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B25/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种气相晶体生长压力自动控制系统,属于压力控制设备与系统领域。本发明包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7。进气气源2由质量流量计3控制,通过管道与真空室1相连,真空泵4通过管道一路和真空室直接相连,一路通过自动针阀调节器6和真空室相连。绝对压力传感器7与真空室1相连,压力控制仪表5按设定程序并根据绝对压力传感器7的反馈信号自动控制真空泵和自动针阀调节器6的工作。本发明线性度高,压力控制灵敏度高,波动小,可进行自动控制,特别适合小流量情况下的压力自动控制。
搜索关键词: 一种 晶体生长 压力 自动控制系统
【主权项】:
1.一种气相晶体生长压力控制系统,包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7,其特征在于:进气气源2由质量流量计3控制,通过管道与真空室1相连,真空泵4通过管道一路和真空室直接相连,一路通过自动针阀调节器6和真空室相连;绝对压力传感器7与真空室1相连,压力控制仪表5按设定程序并根据绝对压力传感器7的反馈信号自动控制真空泵和自动针阀调节器6的工作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710043841.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top