[发明专利]一种检测离子注入设备的方法有效
| 申请号： | 200710042412.1 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329989A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 许世勋;毕健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测离子注入设备的方法。现有技术通过测量在离子注入设备中进行离子注入并退火后的测试晶圆的方块电阻来检测离子注入设备，存在着检测不准的问题。本发明的检测方法先建立一标准注入参数及其对应的氧化层厚度的数据库，其中，该氧化层是在完成标准参数的离子注入后，再进行一预设氧化条件的氧化所生成的；然后在待测离子注入设备中对测试晶圆进行标称注入参数的离子注入；接着对该测试晶圆进行该预设氧化条件的氧化；然后测量所生成的氧化层的厚度并在数据库中查询其所对应的标准注入参数；最后依据查询出的标准注入参数与标称注入参数判断该离子注入设备是否正常。采用本发明的方法可准确检测出离子注入设备是否正常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 离子 注入 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种检测离子注入设备的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)建立一标准注入参数及其对应的氧化层厚度的数据库，其中，该氧化层是在完成该标准参数的离子注入后，再进行一预设氧化条件的氧化所生成的；(2)提供一测试晶圆，并在待测离子注入设备中对该测试晶圆进行标称注入参数的离子注入；(3)对该测试晶圆进行该预设氧化条件的氧化；(4)测量所生成的氧化层的厚度；(5)在该数据库中查询该厚度的氧化层所对应的标准注入参数；(6)依据所查询出的标准注入参数与标称注入参数判断该离子注入设备是否异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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