[发明专利]一种检测离子注入设备的方法有效
| 申请号： | 200710042412.1 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329989A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 许世勋;毕健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 离子 注入 设备 方法 | ||
1.一种检测离子注入设备的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)建立一标准注入参数及其对应的氧化层厚度的数据库，其中，该氧化层是在完成该标准参数的离子注入后，再进行一预设氧化条件的氧化所生成的；(2)提供一测试晶圆，并在待测离子注入设备中对该测试晶圆进行标称注入参数的离子注入；(3)对该测试晶圆进行该预设氧化条件的氧化；(4)测量所生成的氧化层的厚度；(5)在该数据库中查询该厚度的氧化层所对应的标准注入参数；(6)依据所查询出的标准注入参数与标称注入参数判断该离子注入设备是否异常。
2.如权利要求1所述的检测离子注入设备的方法，其特征在于，该预设氧化条件为氧化温度1100摄氏度，氧化时间为63秒，氧气流量为4.5升每分钟。
3.如权利要求1所述的检测离子注入设备的方法，其特征在于，该步骤(1)包括以下步骤：(10)提供多片测试晶圆以及一标准注入参数预选范围；(11)在该标准注入参数预选范围内选取不同的标准注入参数；(12)依据所选标准注入参数分别对该多片测试晶圆进行离子注入；(13)对该多片测试晶圆进行预设氧化条件的氧化；(14)测量所生成的氧化层厚度；(15)将标准注入参数及其对应的氧化层厚度存储在一数据库中。
4.如权利要求3所述的检测离子注入设备的方法，其特征在于，该标称注入参数在该标准注入参数预选范围内。
5.如权利要求1或4所述的检测离子注入设备的方法，其特征在于，该标称注入参数为离子注入设备所显示的注入参数。
6.如权利要求1所述的检测离子注入设备的方法，其特征在于，在步骤(6)中，当所查询出的标准注入参数与标称注入参数相同时，该离子注入设备正常，否则，该离子注入设备异常。
7.如权利要求1所述的检测离子注入设备的方法，其特征在于，该标准注入参数包括注入杂质种类、注入剂量、注入能量和注入角度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
