[发明专利]掩模版及使用掩模版调式光刻机套刻精度的匹配方法有效
申请号: | 200710041576.2 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101315514A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 朱文渊;杨晓松 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于光刻制程的掩模版以及使用该掩模版调式光刻机的套刻精度的匹配方法,涉及半导体领域。本发明提供的掩模版上具有两种或两种以上不同类型的对准标记。使用该掩模版的光刻机具有与掩模版对准标记相匹配的对准系统模块及补正对准系统控制模块,调式套刻精度时,根据测试晶圆的对准标记,启动与晶圆对准标记相匹配的对准系统模块,与掩模版上相匹配的对准标记对齐,进行光刻步骤,对光刻图形进行匹配测试,若套刻精度不符合规格,调整补正对准系统控制模块的数据,循环进行匹配测试,直至套刻精度符合规格。与现有技术相比,本发明有效地缩短调试时间,提高产品的成品率。 | ||
搜索关键词: | 模版 使用 调式 光刻 机套 精度 匹配 方法 | ||
【主权项】:
1、一种掩模版,其特征在于,该掩模版具有至少两种不同类型的对准标记,不同类型的对准标记分别与不同的对准系统相匹配。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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