[发明专利]利用可显影填充材料的两次图形曝光方法有效
| 申请号： | 200710040713.0 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308330A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，通过完成第一次光刻、刻蚀，并剥离了剩余的第一抗反射层、第一光刻胶之后，采用湿法可显影填充性材料涂覆在硅片表面，以填充待刻蚀衬底之间的间隙，然后通过对所述填充材料进行显影的方式移除待刻蚀衬底表面上的所述填充性材料，从而形成平整的界面，然后再进行第二次光刻、刻蚀等工艺，从而消除了传统两次图形曝光技术工艺中由于表面形貌台阶的高度变化而引入的第二次光刻、刻蚀工艺的不稳定性，提高了两次图形曝光技术的表现。本发明所述方法不需要在衬底上覆盖一层硬掩模层，因此降低了两次图形曝光工艺的复杂性，并且从一定程度上提高了所制成芯片的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 显影 填充 材料 两次 图形 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在待刻蚀衬底(201)上涂覆一层第一抗反射层(202)，然后涂覆第一光刻胶(203)；(2)进行第一次光刻；(3)进行第一次刻蚀；(4)剥离第一光刻胶(203)和剩余的第一抗反射层(202)；(5)用湿法将可显影的填充材料(204)涂覆在硅片表面，填充待刻蚀衬底(201)之间的间隙；(6)显影经过填充材料(204)涂覆后的硅片，去除待刻蚀衬底(201)表面上方的填充材料(204)，实现硅片表面的平整表现；(7)涂覆第二抗反射层(205)，然后涂覆第二光刻胶(206)；(8)进行第二次光刻；(9)进行第二次刻蚀；(10)剥离第二光刻胶(206)和剩余的第二抗反射层(205)及填充材料(204)，然后进行清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710040713.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
