[发明专利]用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法无效
| 申请号： | 200710038437.4 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101275216A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冯煜东;王艺;王志民;速小梅;赵概 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 730030甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法，它包括对锗靶材进行微量掺杂，并确定掺杂杂质类型、掺杂含量；根据确定结果制备靶材；通过气相沉积法制备柔性基底镀锗膜等步骤；掺杂杂质类型为n型杂质的P、As；P型杂质的B、Ga；掺杂含量为有效杂质载流子浓度1.0×1011cm－3～1.0×1013cm－3。本发明在靶材中进行微量浅能级杂质掺杂可对低温电导进行适当补偿，可保证锗膜在－180℃～100℃之间具有良好的防静电和透微波性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 聚酰亚胺 基底 镀锗膜 低温 静电 性能 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法，其特征在于它包括下列步骤：(1)对锗靶材进行微量掺杂，并确定掺杂杂质类型、掺杂含量；(2)根据上述确定结果制备靶材；(3)通过气相沉积法制备柔性基底镀锗膜。
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