[发明专利]用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法无效
| 申请号： | 200710038437.4 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101275216A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冯煜东;王艺;王志民;速小梅;赵概 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 730030甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提高 聚酰亚胺 基底 镀锗膜 低温 静电 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法，其特征在于它包括下列步骤：
(1)对锗靶材进行微量掺杂，并确定掺杂杂质类型、掺杂含量；
(2)根据上述确定结果制备靶材；
(3)通过气相沉积法制备柔性基底镀锗膜。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)所述的掺杂杂质类型为n型杂质的P、As；P型杂质的B、Ga；掺杂含量为有效杂质载流子浓度1.0×1011cm-3～1.0×1013cm-3。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)所述靶材的制备包括电子束蒸发镀用原料及磁控溅射用磁控靶的制备。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)所述的气相沉积法为电子束蒸发镀、射频溅射及直流磁控溅射法。
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