[发明专利]钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法无效

专利信息
申请号: 200710035189.8 申请日: 2007-06-22
公开(公告)号: CN101109096A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 蔡青云;杨丽霞;邝淑云 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;H01L31/18
代理公司: 长沙星耀专利事务所 代理人: 赵静华
地址: 41008*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法。其电解液是选用HF质量百分含量为0.5-3%的氢氟酸与二甲基亚砜的有机电解液体系,在25~100V直流电压下,以纯钛或钛合金为阳极,铂片为阴极,在电解液中电解制备纳米管;再将制备的TiO2纳米管阵列浸泡在WO3或MoO3以O22-为螯合剂的澄清溶液中10-90分钟,制成掺杂钨,钼的二氧化钛纳米管阵列。本发明增加了二氧化钛纳米管的管长,扩大了光极材料的比表面积,拓宽了其在可见光区的吸收光谱。
搜索关键词: 掺杂 阳极 氧化 法制 纳米 阵列 方法
【主权项】:
1.一种钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将基底材料表面打磨,清洗干净备用;(2)配制有机电解液:电解液由HF质量百分含量为0.5-3%的氢氟酸与二甲基亚砜的混合溶液;(3)在25~100V直流电压下,以纯钛或钛合金为阳极,铂片为阴极,在电解液中电解制备纳米管;(4)掺杂钨,钼的二氧化钛纳米管阵列的制备:①用以上制备的TiO2纳米管阵列浸泡在WO3或MoO3以O2 2-为螯合剂的澄清溶液中10-90分钟,WO3或MoO3螯合物在电场力吸引和毛细管作用下进入TiO2纳米管;②在500-600℃有氧条件下煅烧4-6h,即为成品。
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