[发明专利]一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法无效
申请号: | 200710032263.0 | 申请日: | 2007-12-07 |
公开(公告)号: | CN101183654A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 刘彭义;武春红;吴敬;张靖磊 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L51/56;G01R31/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈燕娴 |
地址: | 510632广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法,包括制造主体材料层厚度各不相同的磷光有机发光二极管;在通入相同电流密度的条件下,不断更换磷光有机发光二极管,检测发光层的发射强度与空间隔离层厚度的关系,得出三重态激子的扩散长度;在通入相同电流密度的条件下,不断更换磷光有机发光二极管,检测发光层的发射强度,得出三重态激子的能量转移长度。本发明对磷光有机发光二极管的设计、材料的选配、器件的优化以及发光效率的提高都具有重要的指导意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 三重态 激子 扩散 长度 能量 转移 测量方法 | ||
【主权项】:
1.一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:a、按照阳极、空穴传输层、主体材料及荧光染料层、主体材料层、主体材料及磷光染料层、电子传输层、阴极的顺序,制作不同厚度的主体材料层的磷光有机发光二极管,其中,所述的主体材料及荧光染料层为复合区,所述的主体材料层为空间隔离层,所述的主体材料及磷光染料层为发光层;b、按照阳极、空穴传输层、主体材料及荧光染料层、主体材料及磷光染料层、电子传输层、阴极的顺序,制作不同厚度的主体材料及磷光染料层的磷光有机发光二极管,其中,所述的主体材料及荧光染料层为复合区,所述的主体材料及磷光染料层为发光层;c、使用步骤a所制作的不同厚度的主体材料层的磷光有机发光二极管,在相同电流密度的驱动下,分别检测每个磷光有机发光二极管的磷光染料分子的发射强度,记录发射强度及复合区厚度的数值,得出两者近似为线性减小的关系,并延长实验曲线,当磷光染料分子的发射强度降为零时,这时空间隔离层的厚度就是三重态激子的扩散长度;d、使用步骤b所制作的不同厚度的主体材料及磷光染料层的磷光有机发光二极管,在相同电流密度的驱动下,分别检测每个磷光有机发光二极管的磷光染料分子的发射强度,记录发射强度及发光层厚度的数值,得出两者为指数上升的关系,当磷光染料分子的发射强度不再随着发光层厚度的增加而增加时,这时的发光层的厚度近似的为三重态激子的能量转移长度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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