[发明专利]生长过渡金属化合物纳米结构的原位氯化物转移法无效
| 申请号： | 200710021059.9 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101037192A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 余乐书;胡征;马延文;陈懿 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C01B33/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 生长过渡金属化合物纳米结构的原位氯化物转移法，以负载微量金属氯化物的铬粉为原料，在Ar或NH3/N2气氛中，通过调控加热温度，在硅片或者石英片上就可大面积地生长出多种形貌的铬基化合物一维纳米材料，包括CrN纳米粒子、纳米线、纳米电缆或CrSi2纳米线、纳米电缆，CrN和CrSi2纳米电缆的鞘层都为氮化硅包裹；氮化或硅化处理温度为700－1200℃，时间为40±10min；氮化处理的反应混合气为NH3/N2，其中NH3含量为4±2％体积比。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 过渡 金属 化合物 纳米 结构 原位 氯化物 转移 | ||
【主权项】：
1、生长过渡金属化合物纳米结构的原位氯化物转移法，其特征是以负载微量金属氯化物的铬粉为原料，在Ar或NH3/N2气氛中，通过调控加热温度，在硅片或者石英片上就可大面积地生长出多种形貌的铬基化合物一维纳米材料，包括CrN纳米粒子、纳米线、纳米电缆或CrSi2纳米线、纳米电缆，CrN和CrSi2纳米电缆的鞘层都为氮化硅包裹；氮化或硅化处理温度为700-1200℃，时间为40±10min；氮化处理的反应混合气为NH3/N2，其中NH3含量为4±2％体积比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710021059.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
