[发明专利]一种大功率双向晶闸管的生产方法

摘要

一种大功率双向晶闸管的生产方法，其主要工艺步骤为：硅片超砂、硼铝乳胶源扩散、化抛、机抛、氧化、光刻、三氯氧磷扩散、烧结、反刻、合金、表面磨角、腐蚀、保护。本发明(1)采用化学抛光的方法使P₂N₁P₁N₃的晶闸管反向表面浓度注入比扩大为10⁴，而P₁N₁P₂N₂的反向注入比在10³；(2)增大了元件中两只普通晶闸管之间隔离区之间的距离，使换向过程中P₁N₁P₂N₂晶闸管基区中的载流子尽量少地扩散到P₂N₁P₁N₃晶闸管的基区，反之亦然，减弱了两只晶闸管在换向时的相互影响而造成换向失败，从而提高器件的换向能力(dv/dt)_c；(3)改善钼、铝、硅之间的沾润，提高了器件电流的容量。

主权项

1、一种大功率双向晶闸管的生产方法，其主要工艺步骤依次为，硅片超砂、硼铝乳胶源扩散、化抛、机抛、氧化、光刻、三氯氧磷扩散、烧结、反刻、合金、表面磨角、腐蚀、保护，其特征在于：所述的化抛工艺步骤为，对化抛面进行表面浓度分档、将不化抛一面用黑胶进行保护、对同一档表面浓度的片子进行化抛，化抛到工艺所要求的浓度、将化抛后的硅片用去离子水冲净酸液，丙酮脱水后用甲苯、超去黑胶，烘干；所述的光刻工艺步骤为，将双向晶闸管在光刻板上定位，其之间的隔离区为1-1.4mm，硅片进行干燥处理、甩胶、前烘、曝光、显影、定影、坚膜、保护、腐蚀、去光刻胶各工序进行处理；所述的烧结工艺步骤为，将清洁处理好的硅片用镊子钳在干净的滤纸上，放在红外线下烘；将腐蚀好的铝片经丙酮脱水两次后钳在滤纸上，放在红外线下烘干；将钼片用镊子钳在干净的滤纸上，放在红外线下烘；石墨粉存放在80±2℃烘箱内待用；烧结装模顺序为钼片、铝片、硅片、石墨粉，按此重复；进炉烧结，真空抽至5×10-3Pa时，炉体温度升到850℃左右，开始套炉升温，控制烧结温度恒温，恒温结束后，自然冷却，降至14mV抬炉，关扩散泵电炉，降至6mV左右，放气出炉。