[发明专利]一种大功率双向晶闸管的生产方法

权利要求书

1.一种大功率双向晶闸管的生产方法，其主要工艺步骤为：硅片超砂、硼铝乳胶源扩散、化抛、机抛、氧化、光刻、三氯氧磷扩散、烧结、反刻、合金、表面磨角、腐蚀、保护，其特征在于：

所述的化抛工艺步骤为：对化抛面进行表面浓度分档、将不化抛一面用黑胶进行保护、对同一档表面浓度的片子进行化抛，化抛到工艺所要求的浓度、化抛液的配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸＝3∶1∶1，将化抛后的硅片用去离子水冲净酸液，丙酮脱水后用甲苯、超去黑胶，烘干；

所述的光刻工艺步骤为：将两只反向晶闸管在光刻板上定位，其之间的隔离区为1-1.4mm、硅片进行干燥处理、甩胶、前烘、曝光、显影、定影、坚膜、保护、腐蚀、去光刻胶；

所述的烧结工艺步骤为：将清洁处理好的硅片用镊子钳在干净的滤纸上，放在红外线下烘；铝片：将腐蚀好的铝片经丙酮脱水两次后钳在滤纸上，放在红外线下烘干；钼片：将钼片用镊子钳在干净的滤纸上，放在红外线下烘；石墨粉：存放在80±2℃烘箱内待用；

烧结装模顺序：钼片、铝片、硅片、石墨粉，按此重复；

进炉烧结：真空抽至5×10^-3Pa时，炉体温度升到850℃，开始套炉升温，控制烧结温度恒温，恒温结束后，自然冷却，降至14mV抬炉，关扩散泵电炉，降至6mV，放气出炉。

2.根据权利要求1所述的一种大功率双向晶闸管的生产方法，其特征在于：所述的光刻工艺中，将两只反向晶闸管在光刻板上定位，之间的隔离区为1.4mm，其扇形展开后θ＝2°，N型远端离中心线距离为2.2mm。

3.根据权利要求1所述的一种大功率双向晶闸管的生产方法，其特征在于：所述的光刻工艺中曝光步骤为：将硅片在光刻机上进行双面曝光、曝光时间为30～45秒、光刻板必须对准对好，确保隔离区的间距。

4.根据权利要求1所述的一种大功率双向晶闸管的生产方法，其特征在于：所述的烧结工艺步骤中的铝片厚度为0.011-0.013mm。

5.根据权利要求1所述的一种大功率双向晶闸管的生产方法，其特征在于：所述的烧结工艺步骤中，烧结温度恒定在600～625℃，恒温时间为5±1分钟。