[发明专利]一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面；最后在ZnO台面上沉积金属Al作为欧姆接触电极，以此获得了垂直结构的ZnO紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。

主权项

1.一种垂直结构ZnO紫外光电导探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：1)将衬底按照常规工艺清洗并烘干，以去除表面吸附的杂质和水蒸汽，再将其放入真空系统中，使之平行于ITO或ZnO陶瓷靶材放置，距离约为7cm左右；2)预抽真空到10-4Pa，缓慢通入氧气和氩气，同时调节的氧气和氩气流量比到约1∶2左右，把两者的混合气体通入真空室，再使真空室气压保持为1Pa～1.5Pa；3)打开射频源，调节射频功率为100W～200W，依次开始生长ITO薄膜和ZnO薄膜，其中，ITO薄膜的厚度为150nm-200nm，ZnO薄膜的厚度为600nm；4)然后，将样品水平放置在石英炉内，系统抽真空后，再通入高纯O2，并缓慢升温至400℃保持一个小时，进行后退火处理；5)对后退火处理的样品用浓度约为20％的NH4Cl溶液进行腐蚀，直至露出ITO薄膜，形成ZnO台面；6)最后在ZnO台面上表面沉积厚度为200nm的金属Al作为欧姆接触电极，从而得到垂直结构的ZnO紫外光电导探测器。