[发明专利]超级电容器用导电高分子电极材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710017298.7 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101012309A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 徐友龙;王杰;孙孝飞;肖芳 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C08G73/06 | 分类号： | C08G73/06;C25B3/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级电容器用导电高分子电极材料的制备方法，通过控制吡咯聚合的反应条件，温度：－5～+5摄氏度，溶液pH：1～6，聚合电流密度：0.1～10mA/cm2，吡咯单体浓度：0.1～0.6mol/L，掺杂离子类型：对甲基苯磺酸根或氯离子，掺杂离子浓度：0.05～0.6mol/L，制得的聚吡咯具有高孔隙率和分子链高度有序特性。用其作为超级电容器电极材料具有高比容量，快速充放电特性。用该类电极材料制备的超级电容器具有高比能量、高比功率和长寿命等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 电容 器用 导电 高分子 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、超级电容器用导电高分子电极材料的制备方法，其特征在于：1)首先配制浓度为0.05～0.6mol/L的电解液，并调节电解液的pH值为1～6制成聚合电解液A，聚合电解液A中电解质阴离子为对甲基苯磺酸根(TOS- )、高氯酸根(ClO4 -)或氯离子(Cl-)，阳离子为锂离子、钠离子、钾离子、铵离子或季铵阳离子；2)将聚合电解液A降温至+5～-5摄氏度，再加入吡咯单体使吡咯单体的浓度为0.1～0.6mol/L得到电解液B，然后向电解液B中加入工作电极和对电极，向工作电极上施加0.1～10mA/cm2电流密度进行电化学聚合，并维持电解液B的温度在+5～-5摄氏度，一段时间后在工作电极上得到一层均匀的多孔聚吡咯膜，膜的厚度可以通过聚合电量即通过聚合电流乘以聚合时间来控制。
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