[发明专利]柔性衬底薄膜太阳电池及专用设备无效
| 申请号： | 200710014958.6 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330112A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张金学;曹军;高新忠 | 申请（专利权）人： | 济南荣达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种柔性衬底薄膜太阳电池及专用设备。技术路线为：柔性衬底薄膜太阳电池的制作以铝为衬底材料，并生长氧化铝绝缘层；磁控溅射沉积氮化钛下电极；吸收层的组分为铜铟镓硒，采用磁控溅射方法生长铜铟镓堆叠层，节约使用贵重金属铜、铟、镓，非真空方法在吸收层中掺入硒或(和)硫，可减化工艺过程，提高产量，采取自发热方式硒化；化学水浴生长缓冲层硫化锌；磁控溅射生长窗口层氧化锌/氧化锌铝。本柔性薄膜太阳电池半导体器件的制作还需要一台特殊专用设备，特征在于具有一个硒层喷涂机构及采用衬底材料自身发热形式进行硒化。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 薄膜 太阳电池 专用设备 | ||
【主权项】：
1.一种柔性薄膜太阳电池及专用设备，其特征在于衬底材料可以是非刚性的，吸收层的基本组分为铜铟镓硒，缓冲层为硫化锌，窗口层为氧化锌/氧化锌铝。专用的设备为卷绕式喷涂化合反应设备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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