[发明专利]柔性衬底薄膜太阳电池及专用设备无效
申请号: | 200710014958.6 | 申请日: | 2007-06-20 |
公开(公告)号: | CN101330112A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 张金学;曹军;高新忠 | 申请(专利权)人: | 济南荣达电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
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地址: | 250101山东省济南市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 薄膜 太阳电池 专用设备 | ||
1.一种柔性薄膜太阳电池及专用设备,其特征在于衬底材料可以是非刚性的,吸 收层的基本组分为铜铟镓硒,缓冲层为硫化锌,窗口层为氧化锌/氧化锌铝。 专用的设备为卷绕式喷涂化合反应设备。
2.根据权利要求1的柔性薄膜太阳电池,其衬底材料为金属铝。
3.根据权利要求1的柔性薄膜太阳电池,以铝箔为衬底材料,吸收层的组分为铜 铟镓硒,缓冲层为硫化锌,窗口层为氧化锌/氧化锌铝。
4.一种制造权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池工艺:
A.在铝衬底上生长氧化铝绝缘层。
B.磁控溅射生长氮化钛下电极。
C.制作吸收层。
1)磁控溅射生长铜铟镓堆叠层。
2)非真空方法在吸收层中掺入硒或(和)硫。
3)自发热方式使吸收层加热升温,完成吸收层的硒化反应。
D.独特的化学水浴装置最佳反应条件下生长缓冲层。
E.磁控溅射生长窗口层。
F.制作上电极。
5.根据权利要求1柔性薄膜太阳电池的专用制造设备具有喷涂硒装置。
6.根据权利要求1柔性薄膜太阳电池的专用制造设备采用材料自发热方式升温 硒化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的