[发明专利]一种氧化锡单晶薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710014006.4 | 申请日： | 2007-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101070612A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 马瑾;冯先进;栾彩娜 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锡单晶薄膜的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域。采用有机金属化学气相淀积工艺，以四乙基锡[Sn(C2H5)4]为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石衬底上外延生长氧化锡单晶薄膜；所制备的薄膜材料为单晶结构，光电性能优良，稳定性高，附着性能好，由于其带隙宽度大于GaN和ZnO，适合于用来制造氧化锡紫外光电子器件以及透明半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 锡单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锡单晶薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以四乙基锡[Sn(C2H5)4]为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石衬底上外延生长氧化锡单晶薄膜；其中的工艺条件如下：反应室压强30-100Tbrr，生长温度 500～800℃背景N2流量200-800sccm有机金属源温度10-25℃有机金属源载气(N2)流量10-60sccm氧气流量10-100sccm氧化锡薄膜的外延生长速率为0.5～1.5nm/min。
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