[发明专利]闪存装置制造方法无效
| 申请号： | 200710007249.5 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101140908A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张民植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种闪存装置的制造方法，包括蚀刻层叠于半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层、硬掩模层和半导体衬底，由此形成沟槽。使用绝缘层填充该沟槽，由此形成隔离层。清除该隔离层的部分顶面，由此控制该隔离层的有效场高度(EFH)，同时部分地暴露该第一多晶硅层的侧部。使用二氯硅烷(DCS)为源气体，在包括该暴露的第一多晶硅层的各个隔离层的表面上形成用于间隙壁的氧化物层。执行蚀刻工艺，使得氧化物层仅保留在该第一多晶硅层的侧部上，由此形成间隙壁。将间隙壁之间的隔离层蚀刻至一厚度。除去该间隙壁。随后在各个隔离层的表面上形成介电层和第二多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存装置制造方法，包括：蚀刻层叠于半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层、硬掩模层和半导体衬底，其中所述蚀刻形成沟槽；使用绝缘层填充所述沟槽，由此形成隔离层；清除所述隔离层的部分顶面，由此控制所述隔离层的有效场高度，同时部分地暴露所述第一多晶硅层的侧部；使用二氯硅烷为源气体，在包括所述暴露的第一多晶硅层的各个隔离层的表面上形成用于间隙壁的氧化物层；执行蚀刻工艺，使得所述氧化物层保留在所述第一多晶硅层的侧部上，由此形成间隙壁；将所述间隙壁之间的隔离层蚀刻至一厚度；清除所述间隙壁；以及在各个隔离层的表面上形成介电层和第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
