[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710005915.1 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101026225A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;大石洋正 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L21/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中采用在转换激光照射的图案的同时对所希望的位置高速地进行激光照射。在具有由一对导电层夹着有机化合物层的结构的有机存储元件中，通过使用激光照射装置的激光照射，对该有机存储器元件进行数据写入。此外，由衍射光学元件将从激光振荡器射出的激光束分支成多个激光束，并且以一次照射对该有机化合物层上的多个地方照射激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成有机化合物层；在所述有机化合物层上形成第二导电层；将从激光振荡器射出的激光束入射到衍射光学元件，以将该激光束分支成多个激光束；以及用所述多个激光束从所述第二导电层一侧照射所述有机化合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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