[发明专利]用于显示设备的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710005727.9 申请日: 2007-02-13
公开(公告)号: CN101064318A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 柳春基 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 戎志敏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括:在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线;在栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和刻蚀停止层;使用光刻法同时对刻蚀停止层和半导体层进行刻蚀并形成图案;灰化并且部分地去除在刻蚀停止层和半导体层的刻蚀和形成图案中所使用的光致抗蚀剂膜图案;对由光致抗蚀剂膜图案的已去除部分所暴露的刻蚀停止层进行刻蚀,以形成刻蚀停止组件;在刻蚀停止组件上沉积欧姆接触层和数据金属层;使用光刻法同时对欧姆接触层和数据金属层进行刻蚀,以形成具有源电极的数据线、面对源电极的漏电极、以及在源电极和漏电极下面的欧姆接触组件;在数据线和漏电极上形成钝化层;以及在钝化层上形成像素电极。
搜索关键词: 用于 显示 设备 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基板;栅极线,在绝缘基板上形成并且具有栅电极;栅极绝缘层,在栅极线上形成;半导体,在栅极绝缘层上形成;刻蚀停止组件,在一部分半导体上形成;欧姆接触组件,在刻蚀停止组件上形成,并且与半导体部分地接触;数据导线层,在欧姆接触组件上形成,并且具有与欧姆接触组件实质相同的平面图案;钝化层,在数据导线层上形成,并且具有接触孔;以及像素电极,在钝化层上形成,并且通过接触孔与一部分数据导线层相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710005727.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top