[发明专利]用于显示设备的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
申请号: | 200710005727.9 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101064318A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 柳春基 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,包括:在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线;在栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和刻蚀停止层;使用光刻法同时对刻蚀停止层和半导体层进行刻蚀并形成图案;灰化并且部分地去除在刻蚀停止层和半导体层的刻蚀和形成图案中所使用的光致抗蚀剂膜图案;对由光致抗蚀剂膜图案的已去除部分所暴露的刻蚀停止层进行刻蚀,以形成刻蚀停止组件;在刻蚀停止组件上沉积欧姆接触层和数据金属层;使用光刻法同时对欧姆接触层和数据金属层进行刻蚀,以形成具有源电极的数据线、面对源电极的漏电极、以及在源电极和漏电极下面的欧姆接触组件;在数据线和漏电极上形成钝化层;以及在钝化层上形成像素电极。 | ||
搜索关键词: | 用于 显示 设备 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基板;栅极线,在绝缘基板上形成并且具有栅电极;栅极绝缘层,在栅极线上形成;半导体,在栅极绝缘层上形成;刻蚀停止组件,在一部分半导体上形成;欧姆接触组件,在刻蚀停止组件上形成,并且与半导体部分地接触;数据导线层,在欧姆接触组件上形成,并且具有与欧姆接触组件实质相同的平面图案;钝化层,在数据导线层上形成,并且具有接触孔;以及像素电极,在钝化层上形成,并且通过接触孔与一部分数据导线层相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的