[发明专利]大批量生产薄膜的等离子箱无效
| 申请号: | 200710005089.0 | 申请日: | 2007-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN101245449A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H05H1/00;C23C16/52 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一个用于同时在许多个大面积基板上镀膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备和方法。多个基板被放置在由多个间隔平行、交错排列的激发电极和接地电极组成的长方形等离子箱中,所有相邻相反电极之间一致均匀地形成多个等离子体区域。所有等离子箱中大面积电极表面被用于在单一真空室PECVD系统中大量、相同、固定且成批的镀膜。 | ||
| 搜索关键词: | 大批量 生产 薄膜 等离子 | ||
【主权项】:
1. 一个等离子箱,用于在多个近距离相临区域形成同时低压辉光放电,其特征在于:由以下部分组成:a)多个接地电极,具有两个平坦的互相平行的表面,表面积不小于0.6平方米,安装在所述等离子箱中,并且任意两个相邻电极具有相同的预置距离;b)多个激发电极,具有两个平坦的互相平行的表面,表面积不小于0.5平方米,安装在所述等离子箱中,并且与所述等离子箱的其它部分绝缘。所述多个接地电极和所述多个激发电极被平行交替放置,并与相邻电极保持相等的预置距离;c)多个连接在所述激发电极上,且为所述激发电极独立供能的被屏蔽电缆;d)一对外壁,由最外侧的所述接地电极组成;e)一对前后门,具有两个平坦的互相平行的表面,和所述一对外壁垂直连接;f)一个喷淋板,和所述多个接地电极、所述多个激发电极、所述一对外壁和所述一对后门垂直相连,其作用是将源气体混合物引入到所述多个接地电极和多个激发电极之间的等离子体区域中;g)一个底部支撑结构,它由多个金属柱和其它组成部分组成,用于支撑并固定所述等离子箱的其它部分,通过它可以在某个地方或其它物体之上安装所述等离子箱,并且让所述等离子箱能够被移动;h)多个穿过所述底部支撑结构,可以将通过所述等离子体区域的废气混合物排除的中空部分;i)通过电接地和电连接,将所述多个接地电极、所述一对外壁、所述一对前后门、所述喷淋板和所述底部支撑结构维持在同等接地电势上;j)将用于镀膜的基板固定在所述多个接地电极、多个激发电极和一对外壁表面的手段;k)保持用于镀膜的基板与所述等离子箱其它部分电绝缘的手段。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





