[发明专利]光生伏打元件及其制造方法和具备该元件的光生伏打模块有效
| 申请号： | 200710004278.6 | 申请日： | 2007-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101005101A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 中岛武;丸山英治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/048;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备可提高耐候性的透明导电膜的光生伏打元件。该光生伏打元件，包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。 | ||
| 搜索关键词： | 光生伏打 元件 及其 制造 方法 具备 模块 | ||
【主权项】：
1.一种光生伏打元件，其特征在于：包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于所述光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层，并且，所述氧化铟层的所述2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于所述第一峰的峰强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
