[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710004095.4 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101009331A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤淳 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于在绝缘衬底上形成薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在绝缘衬底上形成非单晶半导体薄膜；在非单晶半导体薄膜上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包括下栅电极和上栅电极的栅电极，所述下栅电极具有没有被上栅电极覆盖的部分；通过经由栅电极和栅极绝缘膜将杂质引入非单晶半导体薄膜中，从而在非单晶半导体薄膜中一次性地形成源极－漏极区和LDD(轻掺杂漏极)区域；以及利用上栅电极作为掩模将下栅电极的暴露部分蚀刻掉。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括：形成在绝缘衬底上的非单晶半导体薄膜；形成在所述非单晶半导体薄膜上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极，且该栅电极包括下栅电极和上栅电极；以及轻掺杂漏极结构，包括形成在所述非单晶半导体薄膜中的重掺杂区域和轻掺杂区域；其中所述轻掺杂区域和所述重掺杂区域之间的杂质浓度差等于由所述下栅电极所阻挡而没有被引入的杂质的浓度；以及在所述轻掺杂区域上不存在所述栅电极。
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