[发明专利]叠层型光电元件及其制造方法有效
申请号: | 200710001858.X | 申请日: | 2004-03-26 |
公开(公告)号: | CN1992356A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 松田高一;东川诚;中村哲郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件,其特征在于,在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层,且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。 | ||
搜索关键词: | 叠层型 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种叠层型光电元件的制造方法,该叠层型光电元件在包含pn结或pin结的光电元件之间具有中间层,其特征在于,在至少一个光电元件界面上,在叠层主要成分由氧化铟组成的第一层之后,叠层主要成分由氧化锌组成的第二层,从而形成上述中间层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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