[发明专利]用以制造柱状相变化存储元件的方法有效
| 申请号： | 200710001812.8 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101043067A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/82;H01L27/24;G11C11/56;G11C13/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用以在集成电路上制造次特征尺寸柱状结构的方法。此方法首先提供衬底，此衬底上形成有相变化层、电极层、以及硬掩模层。接着通过平板印刷图案化、蚀刻、并剥除光阻层而形成征尺寸硬掩模，再缩减此硬掩模至选定的次特征尺寸，其中此缩减步骤对于此电极与此相变化层以及此硬掩模具有高度选择性。最后的步骤缩减此电极与相变化层至此硬掩模的尺寸，并移除此硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 制造 柱状 相变 存储 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路上制造次特征尺寸柱状结构的方法，包括下列步骤：提供衬底，该衬底上形成有相变化层、电极层、以及硬掩模层；通过平板印刷图案化、蚀刻、并剥除光阻层而形成特征尺寸硬掩模；缩减该硬掩模至选定的次特征尺寸，其中该缩减步骤对于该电极与该相变化层以及该硬掩模具有高度选择性；缩减该电极与相变化层至该硬掩模的该尺寸；以及移除该硬掩模。
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