[发明专利]具有到扩散区侧面的互连的晶体管结构及相关方法无效
| 申请号： | 200710001554.3 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101000887A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | R·Q·威廉姆斯;H·I·哈纳菲 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管结构，包括至少一个晶体管和导体，所述晶体管包括扩散区和电连接到扩散区的侧面的互连，所述导体与互连电接触。低电阻率局部互连对于使用应力衬里膜是有利的，因为导体可以在距扩散区一段距离处接触互连，因此允许电接触不在最有效处中断应力衬里膜。还公开了几个电连接扩散区到互连的方法的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 侧面 互连 晶体管 结构 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电连接到晶体管的扩散区的方法，所述方法包括如下步骤：提供电连接到所述扩散区的侧面的互连；以及电连接导体到所述互连。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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