[发明专利]对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备有效
| 申请号： | 200680053789.0 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101401192A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张煐哲 | 申请（专利权）人： | 张煐哲 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐江华;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备，更具体地，提供一种通过从使用后浆料中有效地分离并回收研磨剂和切削油使使用后浆料再循环的设备。用于对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备包括：第一加热器，用于在60℃至沸点的温度范围内加热使用后浆料；第一离心分离机，用于以1200～1500rpm的转速旋转由第一加热器加热的使用后浆料，以便通过离心分离而分离为固体物质和第一液体物质；第二加热器，用于在50℃至沸点的温度范围内加热由第一离心分离机分离的第一液体物质；第二离心分离机，用于以最低为2800rpm的转速旋转由第二加热器加热的第一液体物质，以便通过离心分离而分离为锯屑和第二液体物质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 工艺 产生 使用 浆料 进行 再循环 设备 | ||
【主权项】：
1、一种用于对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备，包括：第一加热器，用于在60℃至沸点的温度范围内加热使用后浆料；第一离心分离机，用于以1200～1500rpm的转速旋转由第一加热器加热的使用后浆料，以通过离心分离为固体物质和第一液体物质；第二加热器，用于在50℃至沸点的温度范围内加热由第一离心分离机分离的第一液体物质；和第二离心分离机，用于以至少2800rpm的转速旋转由第二加热器加热的第一液体物质，以通过离心分离为锯屑和第二液体物质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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