[发明专利]对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备有效
申请号: | 200680053789.0 | 申请日: | 2006-07-25 |
公开(公告)号: | CN101401192A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 张煐哲 | 申请(专利权)人: | 张煐哲 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/66 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 制造 工艺 产生 使用 浆料 进行 再循环 设备 | ||
1.一种用于对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备,包括:
第一加热器,用于在60℃至沸点的温度范围内加热使用后浆料;
第一离心分离机,用于以1200~1500rpm的转速旋转由第一加热器加热的使用后浆料,以通过离心分离为固体物质和第一液体物质;
第二加热器,用于在50℃至沸点的温度范围内加热由第一离心分离机分离的第一液体物质;和
第二离心分离机,用于以至少2800rpm的转速旋转由第二加热器加热的第一液体物质,以通过离心分离为锯屑和第二液体物质。
2.根据权利要求1所述的设备,其中第一加热器在60~90℃的温度范围内加热所述使用后浆料。
3.根据权利要求1或2中任意一项所述的设备,进一步包括返回管道,用于将第二离心分离机分离的第二液体物质返回到该第二离心分离机,以使第二离心分离机至少重复进行两次离心分离。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述返回管道将第二液体物质进料给第二加热器,以使第二液体物质在进入第二离心分离机之前,在第二加热器内被加热。
5.根据权利要求3所述的设备,进一步包括在返回管道上的第三加热器,该第三加热器在50℃至沸点的温度范围内加热第二液体物质。
6.根据权利要求3所述的设备,其中在重复进行离心分离时,第二离心分离机以一致的转速或者以增加的转速旋转。
7.根据权利要求3所述的设备,进一步包括再循环单元,用于混合第一离心分离机分离的固体物质和第二离心分离机分离的第二液体物质以产生再循环浆料。
8.根据权利要求1或2中任意一项所述的设备,进一步包括再循环单元,用于混合第一离心分离机分离的固体物质和第二离心分离机分离的第二液体物质以产生再循环浆料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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