[发明专利]多级单元非易失性存储器装置中的单级单元编程有效
| 申请号： | 200680051025.8 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101361135A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 弗朗基·F·路帕尔瓦 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多级单元存储器阵列具有可作为单级单元来编程的区域。最初，用需要的数据将所述待编程单元编程为所述单元的最低有效位或者最高有效位。然后，第二编程操作编程加强数据，所述加强数据将所述单元的阈值电平调节到所述所需数据的合适电平。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 单元 非易失性存储器 装置 中的 编程 | ||
【主权项】：
1、一种用于在多级单元存储器装置中进行单级编程的方法，所述方法包括：将所需数据写入到所述单元的最低有效位或者最高有效位中的一者；和将加强数据写入到所述单元中的剩余位以使得将所述单元的阈值电压调节到所述所需数据需要的电压电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680051025.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造表面发射激光器的方法
- 下一篇：用于光学元件的涂层
