[发明专利]用于可编程逻辑器件集成电路的带有提高的供电电平的易失性存储器单元有效

专利信息
申请号: 200680050820.5 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN101356584A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 刘令时;M·T·陈;T·D·杜 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C7/00;G11C7/10;G11C11/00;H01L25/00;H03K19/177
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供具有易失性存储器单元的集成电路。这些存储器单元产生输出信号。这些集成电路可能是含有可编程核心逻辑的可编程逻辑器件集成电路,该可编程核心逻辑包含带有栅极的晶体管。使用核心逻辑供电电平为核心逻辑供电,该核心逻辑供电电平由核心逻辑正供电电压和核心逻辑接地供电电压限定。当装载了配置数据时,这些存储器单元产生输出信号,这些输出信号被施加于核心逻辑中的晶体管的栅极以定制该可编程逻辑器件。使用存储器单元供电电平为存储器单元供电,该存储器单元供电电平由存储器单元正供电电压和存储器单元接地供电电压限定。该存储器单元供电电平相对于该核心逻辑供电电平被提高。
搜索关键词: 用于 可编程 逻辑 器件 集成电路 带有 提高 供电 电平 易失性 存储器 单元
【主权项】:
1.一种可编程逻辑器件集成电路,其包括:包含晶体管的可编程核心逻辑区域,其中所述核心逻辑以核心逻辑供电电平被供电;以及由存储器单元供电电平供电的易失性存储器单元阵列,该存储器单元供电电平高于所述核心逻辑供电电平,其中所述存储器单元被装载配置数据并且提供相应输出信号,所述输出信号被施加于所述晶体管的各自栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司,未经阿尔特拉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680050820.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top