[发明专利]沟槽式多晶硅二极管有效
| 申请号： | 200680050082.4 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101351893A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈曲飞;罗伯特·徐;凯尔·特里尔;戴娃·帕塔纳亚克 | 申请（专利权）人： | 维西埃－硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/866;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例包括一种制造沟槽式多晶硅二极管的方法。该方法包括在N+(P+)型基板上形成N－(P－)型外延区域，在N－(P－)型外延区域中形成沟槽。该方法还包括在沟槽中形成绝缘层，和用多晶硅填充沟槽，形成沟槽的顶面。该方法还包括在沟槽中形成P+(N+)型掺杂多晶硅区域和N+(P+)型掺杂多晶硅区域，和在沟槽中形成二极管，其中，二极管的一部分低于沟槽的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 多晶 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种制造垂直沟槽式多晶硅二极管的方法，包括：在N+(P+)型基板上形成N-(P-)型外延区域；在所述外延区域中形成沟槽；在所述沟槽中形成绝缘层；用多晶硅填充所述沟槽，形成所述沟槽的顶面；注入P+(N+)型掺杂剂，在所述沟槽中形成所述多晶硅的P+(N+)型区域；注入N+(P+)型掺杂剂，在所述沟槽中形成所述多晶硅的N+(P+)型区域；在所述沟槽中形成多晶硅二极管，其中，所述二极管的一部分低于所述沟槽的所述顶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维西埃－硅化物公司，未经维西埃－硅化物公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680050082.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动升降橱柜
- 下一篇：电容式物位传感器中的变频电荷泵
- 同类专利
- 专利分类
