[发明专利]火焰打孔的孔隙掩模无效
| 申请号： | 200680048258.2 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101341581A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·A·尼科尔斯;杰弗里·H·托奇;迈克尔·W·本奇;马克·A·斯特罗贝尔;乔尔·A·热舍尔;唐纳德·J·穆克卢尔 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 车文;郑立 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了孔隙掩模，包括细长的柔性薄膜幅材，所述膜幅材具有至少一个形成在所述薄膜中的沉积掩模图案，其中所述沉积掩模图案限定贯穿所述薄膜的沉积孔隙，所述孔隙限定一个或多个电子电路元件的至少一部分，并且其中沉积孔隙由边缘界定，所述边缘为所述掩模的一部分，所述边缘具有大于所述掩模的平均厚度的厚度。在另一方面，本发明提供了制造这种孔隙掩模的方法，包括以下步骤：提供支承表面，其中所述支承表面包括多个降低部分；提供喷焰器，其中所述喷焰器支承火焰，并且其中火焰包括与所述喷焰器相对的焰舌；使细长的柔性薄膜幅材的至少一部分顶靠接触所述支承表面；以及用源自喷焰器的火焰加热所述薄膜，以在所述薄膜的覆盖所述多个降低部分的区域中产生孔隙。 | ||
| 搜索关键词： | 火焰 打孔 孔隙 | ||
【主权项】：
1.一种孔隙掩模，包括：细长的柔性薄膜幅材；以及至少一个在所述薄膜中形成的沉积掩模图案，其中所述沉积掩模图案限定贯穿薄膜延伸的沉积孔隙，所述孔隙限定一个或多个电子电路元件的至少一部分，并且其中沉积孔隙由边缘界定，所述边缘为所述掩模的一部分，所述边缘具有大于所述掩模的平均厚度的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司，未经3M创新有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680048258.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
