[发明专利]薄膜体声谐振器(FBAR)的频率调谐无效
| 申请号： | 200680047721.1 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101361266A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | V·R·劳;T·G·多罗斯;Q·马;K·塞尚;L·－P·王 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04;H03H9/58;H03H9/17;H03H9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可在单晶圆上制造多个FBAR，以后再进行切割。理想情况下，在晶圆中形成的所有器件具有相同的谐振频率。然而，由于制造偏差，FBAR器件的频率响应在晶圆上可能略微改变。可产生RF分布图以便确定晶圆上的区域(50，52)，其中那个区域中的FBAR全都与目标频率相差相似的程度。可将调谐层(40)沉积在晶圆之上。基于RF分布图所标识的区域对调谐层光刻形成图案的特征可用于将FBAR校正到目标谐振频率，而FBAR在晶圆上仍保持原样。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 谐振器 fbar 频率 调谐 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：晶圆；多个器件，各具有与其关联的谐振频率，制造在所述晶圆上；调谐层，在所述多个器件上面；与所述调谐层关联的多个区域，其中各个区域包括不同的调谐层图案特征，以便将所述多个器件调谐到目标谐振频率。
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