[发明专利]薄膜体声谐振器(FBAR)的频率调谐

权利要求书

1.一种装置，包括：

晶圆；

多个器件，各具有与其关联的谐振频率，制造在所述晶圆上；

调谐层，在所述多个器件上面；

与所述调谐层关联的多个区域，其中各个区域包括不同的调谐层 图案特征，以便将所述多个器件调谐到目标谐振频率。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述多个器件包括微机电系统 (MEMS)器件。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述MEMS器件包括薄膜体 声谐振器(FBAR)。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述图案特征包括周期直线。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述调谐层包括高Q金属。

6.如权利要求4所述的装置，其中所述周期直线包括给定区域中 所述调谐层的一定百分比。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述调谐层的所述百分比的范 围从0％到100％。

8.一种方法，包括：

在晶圆上制造多个器件；

在所述多个器件之上沉积调谐层；

在所述晶圆上标识多个区域，其中所述器件具有相似的谐振频率；

在每个区域中在所述调谐层内产生不同的图案，以便将所述多个 器件调谐到目标谐振频率。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述多个器件包括薄膜体声谐 振器(FBAR)。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述标识包括：

产生所述晶圆的射频(RF)分布图，标识所述多个FBAR中具有相 似谐振频率的FBAR。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

根据包括不同图案的所述RF分布图来产生校正分布图。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

使用所述校正分布图和光刻技术来产生区域图案；以及

进行蚀刻以便去除所述调谐层的所选部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述区域图案包括周期线。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述周期线包括给定区域中 所述调谐层的一定百分比。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述调谐层的所述百分比的 范围从0％到100％。

16.一种用于调谐晶圆上多个薄膜体声谐振器(FBAR)的方法，包 括：

在晶圆上制造多个FBAR；

在所述FBAR上面沉积调谐层；

产生所述晶圆的射频(RF)分布图，标识所述晶圆上包含具有相似 谐振频率的FBAR的区域；

基于包括所述调谐层的图案特征的所述RF分布图来产生校正分 布图；

使用光刻技术产生所述调谐层中的所述图案特征，以便将所述多 个FBAR的所述谐振频率校正到目标频率。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述调谐层包括高Q金属。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述图案特征包括周期线， 所述周期线是给定区域中所述调谐层的一定百分比。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述调谐层的所述百分比的 范围从0％到100％。

20.如权利要求19所述的方法，其中频率校正范围从0％到4％。