[发明专利]制造快闪存储器卡的方法有效

专利信息
申请号: 200680044334.2 申请日: 2006-11-01
公开(公告)号: CN101341586A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 赫姆·塔克亚尔;什里卡·巴加斯;邱锦泰 申请(专利权)人: 桑迪士克股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示一种用于通过从集成电路的面板冲孔及切割封装的工艺来形成半导体封装的方法。在用于将所述封装囊封到模制化合物中的囊封工艺期间,可使所述面板的部分没有模制化合物。随后可从所述面板冲孔所述面板的没有模制化合物的部分。这些经冲孔的区域可在成品半导体封装的外部边缘中界定斜面、凹口或各种其它曲线、直线或不规则的形状。在将所述面板冲孔之后,可将所述集成电路单个化。通过从所述面板冲孔区域,且然后沿笔直边缘进行切割,本发明揭示一种用于获得各种所需形状的成品半导体封装的简单、有效且具成本效率的方法。
搜索关键词: 制造 闪存 储器卡 方法
【主权项】:
1、一种制作具有大体矩形形状外部外围的半导体封装的方法,所述半导体封装具有不同于所述大体矩形形状的至少一个外部边缘,所述半导体封装是通过以下步骤从面板而形成:(a)将所述面板囊封在模制化合物中,同时使至少一个区域没有模制化合物,及(b)从所述面板冲孔所述至少一个区域以在所述半导体封装中界定所述至少一个外部边缘。
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