[发明专利]制造快闪存储器卡的方法有效
申请号: | 200680044334.2 | 申请日: | 2006-11-01 |
公开(公告)号: | CN101341586A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 赫姆·塔克亚尔;什里卡·巴加斯;邱锦泰 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种用于通过从集成电路的面板冲孔及切割封装的工艺来形成半导体封装的方法。在用于将所述封装囊封到模制化合物中的囊封工艺期间,可使所述面板的部分没有模制化合物。随后可从所述面板冲孔所述面板的没有模制化合物的部分。这些经冲孔的区域可在成品半导体封装的外部边缘中界定斜面、凹口或各种其它曲线、直线或不规则的形状。在将所述面板冲孔之后,可将所述集成电路单个化。通过从所述面板冲孔区域,且然后沿笔直边缘进行切割,本发明揭示一种用于获得各种所需形状的成品半导体封装的简单、有效且具成本效率的方法。 | ||
搜索关键词: | 制造 闪存 储器卡 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制作具有大体矩形形状外部外围的半导体封装的方法,所述半导体封装具有不同于所述大体矩形形状的至少一个外部边缘,所述半导体封装是通过以下步骤从面板而形成:(a)将所述面板囊封在模制化合物中,同时使至少一个区域没有模制化合物,及(b)从所述面板冲孔所述至少一个区域以在所述半导体封装中界定所述至少一个外部边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克股份有限公司,未经桑迪士克股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680044334.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造