[发明专利]成像器像素的植入式隔离区

摘要

本发明涉及一种像素单元阵列架构，其具有离子植入区作为所述阵列中像素的相邻有源区之间的隔离区。在一个示范性实施例中，本发明提供使邻近像素单元的n型感光区分离的经离子掺杂的p－阱区。所述像素单元具有增加的填充因数而不会遇到与常规的浅沟槽隔离区相关联的缺点。

主权项

1.一种隔离区，其用于隔离两个相邻的像素单元，所述区包含：一材料层，其经掺杂为第一导电类型；至少一个植入区，其形成于所述材料层中且使所述相邻像素单元的相邻有源装置隔离，所述至少一个植入区经掺杂为所述第一导电类型；及一经掺杂的表面层，其形成于所述至少一个植入区上且延伸到所述材料层的顶表面，以在所述相邻有源装置之间提供隔离。