[发明专利]具有低电阻和电感的高电流半导体装置系统无效
申请号: | 200680036054.7 | 申请日: | 2006-08-16 |
公开(公告)号: | CN101278401A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 安东尼·L·科伊尔;伯恩哈德·P·朗格 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L29/40 | 分类号: | H01L29/40 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种具有低电阻和低电感的高电流半导体装置(例如用于30A到70A的QFN),所述高电流半导体装置由模制化合物(401,具有约0.9mm的高度402)加以囊封,使得第二引线表面(110b)保持未囊封。可使用导热性粘合剂(403)将铜散热嵌片(404)附接到芯片表面(101b)。由外涂层(103)保护的芯片表面(101a)具有敷金属迹线(102)。经铜填充的窗口接触所述迹线和平行于所述迹线的铜层(105)。铜凸块(108)以有序和重复的布置形成在每一线路上,使得一个线路的凸块大约定位在相邻线路的凸块之间的中间。衬底具有与所述线路以直角定向的延长引线(110);所述引线连接交替线路的相应凸块。 | ||
搜索关键词: | 具有 电阻 电感 电流 半导体 装置 系统 | ||
【主权项】:
1、一种具有低电阻和低电感的高电流半导体装置,其包含:芯片,其具有带敷金属迹线的有源表面,所述有源芯片表面由绝缘外涂层来保护;外涂层窗口,其暴露所述敷金属迹线的若干部分,所述窗口填充有铜以形成到达所述敷金属的触点;铜层,其位于所述外涂层上,从而形成平行于所述外涂层下面的所述迹线的线路,所述层与所述填充有金属的窗口接触;铜凸块,其以有序和重复的布置形成在每一线路上,使得一个线路的所述凸块大约定位在相邻线路的相应凸块之间的中间;衬底,其具有带第一和第二表面的延长铜引线,所述引线与所述线路以直角定向,每一引线的所述第一表面使用焊料元件连接交替线路的相应凸块;及模制化合物,其囊封所述已组装装置和所述衬底,使得所述第二引线表面保持未囊封。
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