[发明专利]在有机导体基材上获得图案的方法和所获得的有机材料无效

专利信息
申请号: 200680035311.5 申请日: 2006-07-28
公开(公告)号: CN101317281A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: J·韦西亚纳米罗;M·C·罗维拉安古洛;E·E·劳克希纳;M·马斯托伦特;V·劳克欣;D·V·佩特洛夫;C·M·克里利 申请(专利权)人: 康斯乔最高科学研究公司;光子科学研究所;加泰罗尼亚研究和高深研究所
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;B05D5/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘维升;韦欣华
地址: 西班牙*** 国省代码: 西班牙;ES
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摘要: 发明涉及能够在具有半导体,超导体或金属型导电性能的有机基材上直接设计图案的化学方法。本发明还涉及所获得的有机材料,它将用于电子设备,如电阻器,电容器,晶体管,传感器或电极,或用于需要导体或半导体区域和不太导电性、不导电性或绝缘性区域的确定图案的其它应用中。
搜索关键词: 有机 导体 基材 获得 图案 方法 材料
【主权项】:
1.在有机导电性基材上获得图案的方法,该方法包括下面步骤:让有机导电性基材暴露于热源,其中该有机导电性基材是包括分子B和掺杂剂F的盐或导电性复合物,和其中该分子B是有机电子给体或受体分子或能够形成盐或导电性复合物的大分子和其中该掺杂剂F是能够与分子或大分子B形成盐或导电性复合物的电子受体或给体化合物,该暴露的方式使得引起热反应,从而根据以下反应改进有机基材的化学组成,留下无掺杂剂F的面积:
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