[发明专利]利用阴影掩膜进行电子器件制造的方法和设备

摘要

电子器件被形成在通过多个沉积容器逐渐形成的衬底上。每一个沉积容器都包括沉积材料源，并至少具有两个与之相关的阴影掩膜。这两个掩膜中的每一个交替地定位在对应沉积容器内，以通过在掩膜定位中的孔，将沉积材料图案成形到衬底上，并定位在邻近的清洗容器中以清洗掩膜。在衬底上的图案成形和至少一个掩膜的清洗是同时执行的。

主权项

1.一种形成电子器件的方法，包括步骤：(a)连续地推进衬底通过沿制造路径定位的多个真空沉积容器，其中，每个沉积容器包括：(i)包含沉积材料的材料沉积源，(ii)定位在沉积容器中的第一阴影掩膜，该第一阴影掩膜具有穿透其中的预定窗孔图案，(iii)邻近沉积容器定位的第一清洗容器，以及(iv)邻近沉积容器定位的第二清洗容器，其中：第一清洗容器、沉积容器和第二清洗容器限定了清洗路径，该清洗路径横向于制造路径；第二阴影掩膜定位在第二清洗容器中，第二阴影掩膜具有穿透其中的预定窗孔图案；第一清洗容器在其中接收到第一阴影掩膜时，可操作地用于清洗第一阴影掩膜；第二清洗容器在其中接收到第二阴影掩膜时，可操作地用于清洗第二阴影掩膜；(b)清洗定位于第二清洗容器中的第二阴影掩膜，同时，通过第一阴影掩膜的窗孔的预定图案沉积材料沉积在衬底上；(c)沿清洗路径，将第一阴影掩膜从沉积容器移动至第一清洗容器，并沿清洗路径，将第二阴影掩膜从第二清洗容器移动至沉积容器；以及(d)清洗定位在第一清洗容器中的第一阴影掩膜，同时，通过第二阴影掩膜的窗孔的预定图案将沉积材料沉积在衬底上。