[发明专利]溅射靶、透明导电膜及透明电极有效
| 申请号： | 200680032256.4 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101258263A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;井上一吉;田中信夫;海上晓;梅野聪 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的溅射靶，其特征在于，其是至少含有铟、锡及锌，且包含由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物及由In2O3表示的红绿柱石结构化合物的氧化物的烧结体。一种溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用X射线衍射(XRD)，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 透明 导电 电极 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其特征在于，其是至少含有铟、锡及锌，且包含由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物及由In2O3表示的红绿柱石结构化合物的氧化物的烧结体。
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