[发明专利]晶片级老化方法以及晶片级老化装置

摘要

本发明提供一种晶片级老化方法以及晶片级老化装置。当进行晶片级老化时，采用从晶片(101)的发热密度所算出的修正值，修正温度控制中所采用的设定温度，以进行温度控制。通过这样，与形成在晶片(101)上的器件的合格分布以及器件的消耗功率无关，能够消除由于施加电负载时的发热而引起的晶片温度与用于施加温度负载的控制温度之差，并且能够防止探针的消耗、燃烧，从而能够实现可靠性高的筛选。

主权项

1.一种晶片级老化方法，把整个半导体晶片或者分割所述半导体晶片后的范围设定为区域，采用与半导体晶片上的所有芯片同时接触的探针，将电负载以及温度负载给予所述半导体晶片上的器件以筛选出次品，其特征在于，所述晶片级老化方法具有：施加温度负载以使所述半导体晶片的各所述区域达到设定温度的工序；向所述半导体晶片施加电负载的工序；根据由于施加电负载而引起的所述半导体晶片的功率消耗来求得所述半导体晶片的合格器件位置的发热密度的工序；根据所述发热密度算出各所述区域的修正值的工序；以及利用所述修正值对所述设定温度进行修正、以在对每个所述区域施加电负载时进行温度负载的温度控制的工序。