[发明专利]含有乙烯基萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物有效

专利信息
申请号: 200680031047.8 申请日: 2006-08-15
公开(公告)号: CN101248391A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 坂口崇洋;榎本智之 申请(专利权)人: 日产化学工业株式会社
主分类号: G03F7/11 分类号: G03F7/11;H01L21/027
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 为了防止伴随抗蚀剂图形的微细化的抗蚀剂图形在显影后的塌陷,本发明的课题在于提供一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物,其应用于利用薄膜抗蚀剂进行的多层膜工序,具有小于光致抗蚀剂、半导体基板的干蚀刻速度,在加工基板时,对加工基板具有充分的抗蚀刻性。为了解决上述课题,本发明提供一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物,其含有下述聚合物,所述聚合物含有乙烯基萘类单元结构和下述丙烯酸类单元结构,所述丙烯酸类单元结构含有芳香族性羟基或含羟基酯。进而提供一种形成涂布型下层膜的组合物,其含有下述丙烯酸类单元结构,所述丙烯酸类单元结构含有含脂肪族环状化合物的酯或含芳香族化合物的酯。
搜索关键词: 含有 乙烯基 树脂 衍生物 形成 光刻 用涂布型 下层 组合
【主权项】:
1.一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物,含有下述聚合物,所述聚合物是基于构成聚合物的全部单元结构,分别以摩尔比0.02以上含有式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构的聚合物,式(1)式中,R1表示氢原子或甲基,X表示在萘环上取代的卤原子、羟基、烷基、烷氧基、硫醇基、氰基、羧基、氨基、酰胺基、烷氧基羰基或硫烷基,n表示0~7的整数,在n为7以外的情况下,其余部分表示氢原子;式(2)式中,R1与上式(1)中的定义相同,A1表示含有芳香族性羟基的有机基或含有含羟基的酯的有机基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社,未经日产化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680031047.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top