[发明专利]含有乙烯基萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物有效
申请号: | 200680031047.8 | 申请日: | 2006-08-15 |
公开(公告)号: | CN101248391A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 坂口崇洋;榎本智之 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为了防止伴随抗蚀剂图形的微细化的抗蚀剂图形在显影后的塌陷,本发明的课题在于提供一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物,其应用于利用薄膜抗蚀剂进行的多层膜工序,具有小于光致抗蚀剂、半导体基板的干蚀刻速度,在加工基板时,对加工基板具有充分的抗蚀刻性。为了解决上述课题,本发明提供一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物,其含有下述聚合物,所述聚合物含有乙烯基萘类单元结构和下述丙烯酸类单元结构,所述丙烯酸类单元结构含有芳香族性羟基或含羟基酯。进而提供一种形成涂布型下层膜的组合物,其含有下述丙烯酸类单元结构,所述丙烯酸类单元结构含有含脂肪族环状化合物的酯或含芳香族化合物的酯。 | ||
搜索关键词: | 含有 乙烯基 树脂 衍生物 形成 光刻 用涂布型 下层 组合 | ||
【主权项】:
1.一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物,含有下述聚合物,所述聚合物是基于构成聚合物的全部单元结构,分别以摩尔比0.02以上含有式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构的聚合物,
式(1)式中,R1表示氢原子或甲基,X表示在萘环上取代的卤原子、羟基、烷基、烷氧基、硫醇基、氰基、羧基、氨基、酰胺基、烷氧基羰基或硫烷基,n表示0~7的整数,在n为7以外的情况下,其余部分表示氢原子;
式(2)式中,R1与上式(1)中的定义相同,A1表示含有芳香族性羟基的有机基或含有含羟基的酯的有机基。
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