[发明专利]用于在MEMS装置内形成层以实现锥形边缘的方法无效
| 申请号： | 200680030211.3 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101258101A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 桂成斌;笹川照夫;董明豪;王春明;斯蒂芬·泽 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 某些MEMS装置包含经图案化以具有锥形边缘的层。一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用蚀刻前导层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含沉积其中上部部分可以比下部部分快的速率蚀刻的层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用多个反复蚀刻。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用具有包含负角的孔的剥离掩模层，使得可在所述剥离掩模层上沉积一层并去除所述掩模层，从而留下具有锥形边缘的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems 装置 形成层 实现 锥形 边缘 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造MEMS装置的方法，其包括：形成电极层；在所述电极层上形成掩模；使用所述掩模图案化所述电极层以形成隔离电极部件；以及使所述电极部件成锥形以形成向外成锥形的边缘部分，其中所述掩模的至少一部分在所述成锥形期间保持在适当位置。
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